FQU2N60CTU MOSFET 600V N-ఛానల్ అడ్వర్ Q-FET సి-సిరీస్
♠ ఉత్పత్తి వివరణ
| ఉత్పత్తి లక్షణం | లక్షణం విలువ |
| తయారీదారు: | ఒన్సేమి |
| ఉత్పత్తి వర్గం: | MOSFET |
| సాంకేతికం: | Si |
| మౌంటు స్టైల్: | రంధ్రం ద్వారా |
| ప్యాకేజీ / కేసు: | TO-251-3 |
| ట్రాన్సిస్టర్ పోలారిటీ: | N-ఛానల్ |
| ఛానెల్‌ల సంఖ్య: | 1 ఛానెల్ |
| Vds - డ్రెయిన్-సోర్స్ బ్రేక్‌డౌన్ వోల్టేజ్: | 600 V |
| Id - నిరంతర డ్రెయిన్ కరెంట్: | 1.9 ఎ |
| Rds ఆన్ - డ్రెయిన్-సోర్స్ రెసిస్టెన్స్: | 4.7 ఓం |
| Vgs - గేట్-సోర్స్ వోల్టేజ్: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - గేట్-సోర్స్ థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్: | 2 వి |
| Qg - గేట్ ఛార్జ్: | 12 nC |
| కనిష్ట ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత: | - 55 సి |
| గరిష్ట ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత: | + 150 సి |
| Pd - పవర్ డిస్సిపేషన్: | 2.5 W |
| ఛానెల్ మోడ్: | మెరుగుదల |
| ప్యాకేజింగ్: | ట్యూబ్ |
| బ్రాండ్: | onsemi / ఫెయిర్‌చైల్డ్ |
| ఆకృతీకరణ: | సింగిల్ |
| పతనం సమయం: | 28 ns |
| ఫార్వర్డ్ ట్రాన్స్‌కండక్టెన్స్ - కనిష్ట: | 5 ఎస్ |
| ఎత్తు: | 6.3 మి.మీ |
| పొడవు: | 6.8 మి.మీ |
| ఉత్పత్తి రకం: | MOSFET |
| లేచే సమయము: | 25 ns |
| సిరీస్: | FQU2N60C |
| ఫ్యాక్టరీ ప్యాక్ పరిమాణం: | 5040 |
| ఉపవర్గం: | MOSFETలు |
| ట్రాన్సిస్టర్ రకం: | 1 N-ఛానల్ |
| రకం: | MOSFET |
| సాధారణ టర్న్-ఆఫ్ ఆలస్యం సమయం: | 24 ns |
| సాధారణ టర్న్-ఆన్ ఆలస్యం సమయం: | 9 ns |
| వెడల్పు: | 2.5 మి.మీ |
| యూనిట్ బరువు: | 0.011993 oz |
♠ MOSFET – N-ఛానల్, QFET 600 V, 1.9 A, 4,7
ఈ N−Channel మెరుగుదల మోడ్ పవర్ MOSFET onsemi యొక్క యాజమాన్య ప్లానర్ స్ట్రిప్ మరియు DMOS సాంకేతికతను ఉపయోగించి ఉత్పత్తి చేయబడింది.ఈ అధునాతన MOSFET సాంకేతికత ముఖ్యంగా ఆన్-స్టేట్ రెసిస్టెన్స్‌ని తగ్గించడానికి మరియు అత్యుత్తమ స్విచింగ్ పనితీరు మరియు అధిక హిమపాతం శక్తి శక్తిని అందించడానికి రూపొందించబడింది.ఈ పరికరాలు స్విచ్డ్ మోడ్ పవర్ సప్లైస్, యాక్టివ్ పవర్ ఫ్యాక్టర్ కరెక్షన్ (PFC) మరియు ఎలక్ట్రానిక్ ల్యాంప్ బ్యాలస్ట్‌లకు అనుకూలంగా ఉంటాయి.
• 1.9 A, 600 V, RDS(on) = 4.7 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.95 A
• తక్కువ గేట్ ఛార్జ్ (రకం. 8.5 nC)
• తక్కువ Crss (రకం. 4.3 pF)
• 100% హిమపాతం పరీక్షించబడింది
• ఈ పరికరాలు హాలిడ్ ఉచితం మరియు RoHS కంప్లైంట్
