CSD88537ND MOSFET 60-V డ్యూయల్ N-ఛానల్ పవర్ MOSFET
♠ ఉత్పత్తి వివరణ
| ఉత్పత్తి లక్షణం | లక్షణం విలువ |
| తయారీదారు: | టెక్సాస్ ఇన్స్ట్రుమెంట్స్ |
| ఉత్పత్తి వర్గం: | MOSFET |
| RoHS: | వివరాలు |
| సాంకేతికం: | Si |
| మౌంటు స్టైల్: | SMD/SMT |
| ప్యాకేజీ/కేస్: | SOIC-8 |
| ట్రాన్సిస్టర్ పోలారిటీ: | N-ఛానల్ |
| ఛానెల్‌ల సంఖ్య: | 2 ఛానెల్ |
| Vds - డ్రెయిన్-సోర్స్ బ్రేక్‌డౌన్ వోల్టేజ్: | 60 V |
| Id - నిరంతర డ్రెయిన్ కరెంట్: | 16 ఎ |
| Rds ఆన్ - డ్రెయిన్-సోర్స్ రెసిస్టెన్స్: | 15 mOhms |
| Vgs - గేట్-సోర్స్ వోల్టేజ్: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - గేట్-సోర్స్ థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్: | 2.6 వి |
| Qg - గేట్ ఛార్జ్: | 14 nC |
| కనిష్ట ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత: | - 55 సి |
| గరిష్ట ఆపరేటింగ్ ఉష్ణోగ్రత: | + 150 సి |
| Pd - పవర్ డిస్సిపేషన్: | 2.1 W |
| ఛానెల్ మోడ్: | మెరుగుదల |
| వాణిజ్య పేరు: | NexFET |
| ప్యాకేజింగ్: | రీల్ |
| ప్యాకేజింగ్: | టేప్ కట్ |
| ప్యాకేజింగ్: | మౌస్ రీల్ |
| బ్రాండ్: | టెక్సాస్ ఇన్స్ట్రుమెంట్స్ |
| ఆకృతీకరణ: | ద్వంద్వ |
| పతనం సమయం: | 19 ns |
| ఎత్తు: | 1.75 మి.మీ |
| పొడవు: | 4.9 మి.మీ |
| ఉత్పత్తి రకం: | MOSFET |
| లేచే సమయము: | 15 ns |
| సిరీస్: | CSD88537ND |
| ఫ్యాక్టరీ ప్యాక్ పరిమాణం: | 2500 |
| ఉపవర్గం: | MOSFETలు |
| ట్రాన్సిస్టర్ రకం: | 2 N-ఛానల్ |
| సాధారణ టర్న్-ఆఫ్ ఆలస్యం సమయం: | 5 ns |
| సాధారణ టర్న్-ఆన్ ఆలస్యం సమయం: | 6 ns |
| వెడల్పు: | 3.9 మి.మీ |
| యూనిట్ బరువు: | 74 మి.గ్రా |
♠ CSD88537ND Dual 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
ఈ డ్యూయల్ SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET™ పవర్ MOSFET తక్కువ కరెంట్ మోటార్ కంట్రోల్ అప్లికేషన్‌లలో సగం వంతెనగా ఉపయోగపడేలా రూపొందించబడింది.
• అల్ట్రా-తక్కువ Qg మరియు Qgd
• హిమపాతం రేట్ చేయబడింది
• Pb ఉచితం
• RoHS కంప్లైంట్
• హాలోజన్ ఫ్రీ
• మోటార్ నియంత్రణ కోసం సగం వంతెన
• సింక్రోనస్ బక్ కన్వర్టర్
