VNB35N07TR-E పవర్ స్విచ్ ICలు – పవర్ డిస్ట్రిబ్యూషన్ OMNIFETII పూర్తిగా ఆటో ప్రొటెక్ట్ Pwr MOSFET
♠ ఉత్పత్తి వివరణ
| ఉత్పత్తి లక్షణం | లక్షణ విలువ |
| తయారీదారు: | ST మైక్రోఎలక్ట్రానిక్స్ |
| ఉత్పత్తి వర్గం: | పవర్ స్విచ్ ICలు - పవర్ డిస్ట్రిబ్యూషన్ |
| రకం: | లో సైడ్ |
| అవుట్‌పుట్‌ల సంఖ్య: | 1 అవుట్‌పుట్ |
| ప్రస్తుత పరిమితి: | 35 ఎ |
| నిరోధం - గరిష్టం: | 28 నిమోలు |
| సమయానికి - గరిష్టంగా: | 200 ఎన్ఎస్ |
| ఆఫ్ టైమ్ - గరిష్టం: | 1 మేము |
| ఆపరేటింగ్ సరఫరా వోల్టేజ్: | 28 వి |
| కనిష్ట నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత: | - 40 సి |
| గరిష్ట నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత: | + 150 సి |
| మౌంటు శైలి: | ఎస్ఎండి/ఎస్ఎండి |
| ప్యాకేజీ / కేసు: | డి2పాక్-3 |
| సిరీస్: | VNB35N07-E పరిచయం |
| అర్హత: | AEC-Q100 పరిచయం |
| ప్యాకేజింగ్ : | రీల్ |
| ప్యాకేజింగ్ : | కట్ టేప్ |
| ప్యాకేజింగ్ : | మౌస్‌రీల్ |
| బ్రాండ్: | ST మైక్రోఎలక్ట్రానిక్స్ |
| తేమ సెన్సిటివ్: | అవును |
| పిడి - విద్యుత్ దుర్వినియోగం: | 125000 మెగావాట్లు |
| ఉత్పత్తి రకం: | పవర్ స్విచ్ ICలు - పవర్ డిస్ట్రిబ్యూషన్ |
| ఫ్యాక్టరీ ప్యాక్ పరిమాణం: | 1000 అంటే ఏమిటి? |
| ఉపవర్గం: | స్విచ్ ICలు |
| యూనిట్ బరువు: | 0.079014 oz (ఔన్సులు) |
♠ OMNIFET: పూర్తిగా ఆటోప్రొటెక్టెడ్ పవర్ MOSFET
VNP35N07-E, VNB35N07-E మరియు VNV35N07-E అనేవి STMicroelectronics VIPower® టెక్నాలజీని ఉపయోగించి తయారు చేయబడిన మోనోలిథిక్ పరికరాలు, ఇవి DCలోని ప్రామాణిక పవర్ MOSFETలను 50 KHz అప్లికేషన్‌లకు భర్తీ చేయడానికి ఉద్దేశించబడ్డాయి.
అంతర్నిర్మిత థర్మల్ షట్‌డౌన్, లీనియర్ కరెంట్ పరిమితి మరియు ఓవర్‌వోల్టేజ్ క్లాంప్ కఠినమైన వాతావరణాలలో చిప్‌ను రక్షిస్తాయి.
ఇన్‌పుట్ పిన్ వద్ద వోల్టేజ్‌ను పర్యవేక్షించడం ద్వారా తప్పు అభిప్రాయాన్ని గుర్తించవచ్చు.
• ఆటోమోటివ్ అర్హత
• లీనియర్ కరెంట్ పరిమితి
• థర్మల్ షట్‌డౌన్
• షార్ట్ సర్క్యూట్ రక్షణ
• ఇంటిగ్రేటెడ్ క్లాంప్
• ఇన్‌పుట్ పిన్ నుండి తీసుకోబడిన తక్కువ కరెంట్
• ఇన్‌పుట్ పిన్ ద్వారా డయాగ్నస్టిక్ ఫీడ్‌బ్యాక్
• ESD రక్షణ
• పవర్ MOSFET (అనలాగ్ డ్రైవింగ్) గేట్‌కు ప్రత్యక్ష యాక్సెస్
• ప్రామాణిక పవర్ MOSFET తో అనుకూలమైనది
• ప్రామాణిక TO-220 ప్యాకేజీ
• 2002/95/EC యూరోపియన్ డైరెక్టివ్‌కు అనుగుణంగా
