BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH లాజిక్
♠ ఉత్పత్తి వివరణ
| ఉత్పత్తి లక్షణం | లక్షణ విలువ |
| తయారీదారు: | ఆన్సెమి |
| ఉత్పత్తి వర్గం: | మోస్ఫెట్ |
| సాంకేతికం: | Si |
| మౌంటు శైలి: | ఎస్ఎండి/ఎస్ఎండి |
| ప్యాకేజీ / కేసు: | SOT-23-3 ద్వారా మరిన్ని |
| ట్రాన్సిస్టర్ ధ్రువణత: | ఎన్-ఛానల్ |
| ఛానెల్‌ల సంఖ్య: | 1 ఛానల్ |
| Vds - డ్రెయిన్-సోర్స్ బ్రేక్‌డౌన్ వోల్టేజ్: | 100 వి |
| ఐడి - నిరంతర డ్రెయిన్ కరెంట్: | 170 ఎంఏ |
| Rds ఆన్ - డ్రెయిన్-సోర్స్ రెసిస్టెన్స్: | 6 ఓంలు |
| Vgs - గేట్-సోర్స్ వోల్టేజ్: | - 20 వి, + 20 వి |
| Vgs th - గేట్-సోర్స్ థ్రెషోల్డ్ వోల్టేజ్: | 800 ఎంవి |
| Qg - గేట్ ఛార్జ్: | 2.5 ఎన్ సి |
| కనిష్ట నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత: | - 55 సి |
| గరిష్ట నిర్వహణ ఉష్ణోగ్రత: | + 150 సి |
| పిడి - విద్యుత్ దుర్వినియోగం: | 300 మెగావాట్లు |
| ఛానెల్ మోడ్: | మెరుగుదల |
| ప్యాకేజింగ్ : | రీల్ |
| ప్యాకేజింగ్ : | కట్ టేప్ |
| ప్యాకేజింగ్ : | మౌస్‌రీల్ |
| బ్రాండ్: | ఆన్సెమి / ఫెయిర్‌చైల్డ్ |
| ఆకృతీకరణ: | సింగిల్ |
| శరదృతువు సమయం: | 9 ఎన్ఎస్ |
| ఫార్వర్డ్ ట్రాన్స్‌కండక్టెన్స్ - కనిష్టం: | 0.8 ఎస్ |
| ఎత్తు: | 1.2 మి.మీ. |
| పొడవు: | 2.9 మి.మీ. |
| ఉత్పత్తి: | MOSFET చిన్న సిగ్నల్ |
| ఉత్పత్తి రకం: | మోస్ఫెట్ |
| ఉదయించే సమయం: | 9 ఎన్ఎస్ |
| సిరీస్: | బిఎస్ఎస్ 123 |
| ఫ్యాక్టరీ ప్యాక్ పరిమాణం: | 3000 డాలర్లు |
| ఉపవర్గం: | MOSFETలు |
| ట్రాన్సిస్టర్ రకం: | 1 N-ఛానల్ |
| రకం: | ఫీట్ |
| సాధారణ టర్న్-ఆఫ్ ఆలస్యం సమయం: | 17 ఎన్ఎస్ |
| సాధారణంగా ఆన్ చేయడంలో ఆలస్యం అయ్యే సమయం: | 1.7 ఎన్ఎస్ |
| వెడల్పు: | 1.3 మి.మీ. |
| భాగం # మారుపేర్లు: | బిఎస్ఎస్123_ఎన్ఎల్ |
| యూనిట్ బరువు: | 0.000282 ఔన్సులు |
♠ N-ఛానల్ లాజిక్ లెవల్ ఎన్‌హాన్స్‌మెంట్ మోడ్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్
ఈ N−ఛానల్ ఎన్‌హాన్స్‌మెంట్ మోడ్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్లు onsemi యొక్క యాజమాన్య, అధిక సెల్ సాంద్రత, DMOS సాంకేతికతను ఉపయోగించి ఉత్పత్తి చేయబడతాయి. ఈ ఉత్పత్తులు కఠినమైన, నమ్మదగిన మరియు వేగవంతమైన స్విచింగ్ పనితీరును అందిస్తూ ఆన్−స్టేట్ నిరోధకతను తగ్గించడానికి రూపొందించబడ్డాయి. ఈ ఉత్పత్తులు ముఖ్యంగా తక్కువ వోల్టేజ్, చిన్న సర్వో మోటార్ నియంత్రణ, పవర్ MOSFET గేట్ డ్రైవర్లు మరియు ఇతర స్విచింగ్ అప్లికేషన్‌ల వంటి తక్కువ కరెంట్ అప్లికేషన్‌లకు అనుకూలంగా ఉంటాయి.
• 0.17 ఎ, 100 వి
♦ RDS(ఆన్) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(ఆన్) = 10 @ VGS = 4.5 V
• అత్యంత తక్కువ RDS కోసం అధిక సాంద్రత గల సెల్ డిజైన్(ఆన్)
• దృఢమైనది మరియు నమ్మదగినది
• కాంపాక్ట్ ఇండస్ట్రీ స్టాండర్డ్ SOT−23 సర్ఫేస్ మౌంట్ ప్యాకేజీ
• ఈ పరికరం Pb− రహితం మరియు హాలోజన్ రహితం
